研究摻鉺光纖受到輻射破壞後,其點缺陷的分子結構,光學性質,與電子自旋共振光譜。

計畫名稱:研究摻鉺光纖受到輻射破壞後,其點缺陷的分子結構,光學性質,與電子自旋共振光譜。

所屬單位:光電所

研究團隊:光子技術與奈米結構實驗室

計畫主持人:王倫

研究人員:彭子軒

資源需求:Materials Studio, Gaussian

使用期間:2010/07~

研究主題:
研究摻鉺光纖受到輻射破壞後,其點缺陷的分子結構,光學性質,與電子自旋共振光譜。

研究內容概述:
隨著光纖科技的發展,摻鉺光纖成為最重要的光纖元件之ㄧ,例如:光纖光源以及光放大器等,近年來光纖技術也逐漸有應用在嚴苛環境的需求,像是人造衛星或是輻射場所等,然而摻鉺光纖的良好光學特性會受到輻射破壞,產生過大的光功率損耗而無法使用,目前已了解這些損耗的來源是輻射產生的諸多點缺陷,不同的點缺陷結構有著不同的光學性質,與電子自旋共振光譜。本研究希望藉由軟體計算的結果,以及配合實驗的資料,確認點缺陷的結構,並更進一步地確認產生的機制。

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