碳球單層膜在銅(111)表面上之電荷轉移及表面重構

計畫名稱:碳球單層膜在銅(111)表面上之電荷轉移及表面重構

所屬單位:凝態中心, 中研院物理所

研究團隊:碳球單層膜研究團隊

計畫主持人:白偉武

研究人員:鄭弘泰

資源需求:PGI compiler, VASP

使用期間:2005/10~

研究主題:
碳球單層膜在銅(111)表面上之電荷轉移及表面重構

研究內容概述:
同步輻射中心崔古鼎教授以同步光源量測本系統, 發現銅表面具有巨大之電荷轉移至碳球現象, 台大凝態中心白偉武教授以 STM 量測, 發現其具有表面重構現象, 並以 STS 量測發現其LUMO band 之顯著位移與同步光源量測之巨大電荷轉移現象相呼應, 運用貴中心高速計算資源, 我們已對本系統進行理論計算, 並發現其巨大之電荷轉移與表面重構現象有密切關聯.

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