利用第一原理探討鍺(錫)與氧化鍺等高介電材料之介面的電學特性

計畫名稱:利用第一原理探討鍺(錫)與氧化鍺等高介電材料之介面的電學特性

所屬單位:電子工程所

研究團隊:量子電子實驗室

計畫主持人:李峻霣

研究人員:黃敬琮

資源需求:Materials Studio

使用期間:2015/02~

研究主題:
利用第一原理探討鍺(錫)與氧化鍺等高介電材料之介面的電學特性

研究內容概述:
依照摩爾定律,電晶體尺寸不斷縮小,使用新的材料來取代矽已經是不可避免的趨勢。其中,鍺被大家極為看好能成功取代矽成為未來金氧半元件的材料。但鍺並沒有二氧化矽之於矽那樣好的介電質,鍺與氧化鍺等高介電係數材料的介面存在許多缺陷。此外,鍺錫被預測比純鍺有更高的mobility。因此,本實驗室希望能利用Materials Studio 中的模組CASTEP,針對鍺(錫)與氧化鍺等高介電材料之介面進行第一原理密度泛函的計算,研究鍺(錫)與高介電係數材料的介面模型。希望能找出不同的介面模型對於density of states 的影響,進而把所得結果輸入TCAD 進行元件模擬,並將模擬結果與實驗量測結果進行比較。

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