用第一原理模擬不同元素摻雜在砷化銦的X光吸收頻譜

計畫名稱:用第一原理模擬不同元素摻雜在砷化銦的X光吸收頻譜

所屬單位:光電所

研究團隊:MBE LAB

計畫主持人:林浩雄

研究人員:薛植函

資源需求:vasp

使用期間:2015/05~

研究主題:
用第一原理模擬不同元素摻雜在砷化銦的X光吸收頻譜

研究內容概述:
砷化銦在光電元件及高速電子元件中佔有很重要的地位,因為他的窄能隙及高電子遷移率。矽是地球上最常見的元素,並且常摻雜到砷化銦中,使其變成n型半導體。當矽摻雜進砷化銦後,會改變周圍的原子結構與性質。

當時,在研究特定的原子與電子結構時,常使用X光吸收譜(XANES),即便是濃度很稀少也可測量的到。其原子結構可以藉由將吸收譜的結果再經過計算後獲得。

利用VASP程式模擬砷化銦晶體裡未填滿狀態的能量密度DOS(density of occupied final state),並利用XAS中的吸收係數(μ)與費米黃金定律中未填滿狀態的電子密度的正比關係,模擬出X光在吸收邊的吸收譜(XANES),並與在同步輻射中心測量的實驗數據作比較。

詳細計畫內容 回到上一頁