量子井光吸收現象研究

計畫名稱:量子井光吸收現象研究

所屬單位:電子所

研究團隊:矽光電與奈米元件/明達501

計畫主持人:郭宇軒

研究人員:黃浩展

資源需求:Matlab

使用期間:2009/02~

研究主題:
量子井光吸收現象研究

研究內容概述:
本研究主要探討鍺(Ge)的無限量子井以及Ge/SiGe單一有限量子井的基態直接能隙之激子(exciton)及量子侷限效應(QCSE)所造成的光吸收現象。利用Airy函數的方法計算無限量子井之波函數及其基態能量,以及用共振穿隧法(Tunneling Resonance Method)來計算有限量子井之波函數及其基態能量,再用變分法(variational method)來探討其光吸收現象。分別針對不同的量子井厚度(5-35nm)施加不同的垂直電場(0-105 V/cm)及垂直電壓(0-150mV)進行模擬計算;以求出激子半徑、遷移能量、束縛能、以及直接能隙吸收比上非直接能隙吸收之比率也進行探討。主要採用Matlab程式進行模擬,具極高計算量,需運用計算機中心所提供之高效能運算服務。

詳細計畫內容 回到上一頁